MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMZA65R075M2HXKSA1, VDSS 650 V, ID 26.6 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 762-920
- Nº ref. fabric.:
- IMZA65R075M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
5,32 €
(exc. IVA)
6,44 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 19 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,32 € |
| 10 - 49 | 4,31 € |
| 50 - 99 | 3,30 € |
| 100 + | 2,64 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 762-920
- Nº ref. fabric.:
- IMZA65R075M2HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 26.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14.9nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 111W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 5.1mm | |
| Longitud | 21.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 26.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.9nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 111W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 5.1mm | ||
Longitud 21.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET CoolSiC de Infineon ofrece un rendimiento inigualable, una fiabilidad superior y una gran facilidad de uso. Permite diseños rentables, altamente eficientes y simplificados para satisfacer las necesidades del sistema y del mercado en constante crecimiento.
Pérdidas de conmutación ultrabajas
Mejora la robustez y fiabilidad del sistema
Facilita gran facilidad de uso e integración
Reduce el tamaño, el peso y la lista de materiales de los sistemas
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET de potencia VDSS 650 V Modo de mejora, PG-TO-247 de 4
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 4 pines