MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 59 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

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Código RS:
232-0400
Nº ref. fabric.:
IMZA65R027M1HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

59A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolSiC

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

34mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Infineon tiene MOSFET de SiC que proporciona un rendimiento fiable y rentable en un encapsulado de TO247 4 contactos. El MOSFET CoolSiC de 650 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Es adecuado para altas temperaturas y operaciones hostiles, permite la implementación simplificada y rentable de la máxima eficiencia del sistema. El MOSFET en encapsulado de TO247 4 contactos reduce los efectos de inductancia de fuente parásita en el circuito de puerta, lo que permite una conmutación más rápida y mayor eficiencia.

Capacidades bajas

Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes superiores

Fiabilidad superior de óxido de puerta

Excelente comportamiento térmico

Mayor capacidad de avalancha

Funciona con un controlador estándar

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