MOSFET Infineon IMZA65R027M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 59 A, TO-247-4 de 4 pines

El Infineon tiene MOSFET de SiC que proporciona un rendimiento fiable y rentable en un encapsulado de TO247 4 contactos. El MOSFET CoolSiC de 650 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Es adecuado para altas temperaturas y operaciones hostiles, permite la implementación simplificada y rentable de la máxima eficiencia del sistema. El MOSFET en encapsulado de TO247 4 contactos reduce los efectos de inductancia de fuente parásita en el circuito de puerta, lo que permite una conmutación más rápida y mayor eficiencia.

Capacidades bajas
Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes superiores
Fiabilidad superior de óxido de puerta
Excelente comportamiento térmico
Mayor capacidad de avalancha
Funciona con un controlador estándar