MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMZA65R027M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 59 A, Mejora, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 232-0401
- Nº ref. fabric.:
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
13,86 €
(exc. IVA)
16,77 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Disponible(s) 106 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 13,86 € |
| 5 - 9 | 13,16 € |
| 10 - 24 | 12,90 € |
| 25 - 49 | 12,05 € |
| 50 + | 11,23 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 232-0401
- Nº ref. fabric.:
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 59A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 34mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 59A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 34mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon tiene MOSFET de SiC que proporciona un rendimiento fiable y rentable en un encapsulado de TO247 4 contactos. El MOSFET CoolSiC de 650 V ofrece una combinación única de rendimiento, fiabilidad y facilidad de uso. Es adecuado para altas temperaturas y operaciones hostiles, permite la implementación simplificada y rentable de la máxima eficiencia del sistema. El MOSFET en encapsulado de TO247 4 contactos reduce los efectos de inductancia de fuente parásita en el circuito de puerta, lo que permite una conmutación más rápida y mayor eficiencia.
Capacidades bajas
Comportamiento de conmutación optimizado a corrientes superiores
Fiabilidad superior de óxido de puerta
Excelente comportamiento térmico
Mayor capacidad de avalancha
Funciona con un controlador estándar
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 4 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
