MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMYR140R019M2HXLSA1, VDSS 1400 V, ID 100 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- Código RS:
- 762-947
- Nº ref. fabric.:
- IMYR140R019M2HXLSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
17,77 €
(exc. IVA)
21,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 240 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 17,77 € |
| 10 - 24 | 16,00 € |
| 25 + | 13,15 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 762-947
- Nº ref. fabric.:
- IMYR140R019M2HXLSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1400V | |
| Encapsulado | PG-TO247-4 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 19mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 90nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 385W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 23.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1400V | ||
Encapsulado PG-TO247-4 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 19mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 90nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 385W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 23.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
El MOSFET CoolSiC 1400 V G2 SiC de Infineon tiene una tensión nominal de 1400 V y una capacidad de corriente de 147 A a 100 °C, con una baja resistencia de conexión de 8,5 mΩ. Admite un alto rendimiento térmico y puede resistir cortocircuitos durante 2 μs. El dispositivo está diseñado con una robusta protección parásita contra encendido y una alta distancia de fuga.
Pérdidas por conmutación muy bajas
Diodo de cuerpo robusto para conmutación dura
Contactos de alimentación amplios para alta capacidad de corriente
Contactos soldadables resistivos para conexiones directas de barras colectoras
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 1400 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 750 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 750 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 750 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 750 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 750 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 750 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines