MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMYR140R008M2HXLSA1, VDSS 1400 V, ID 207 A, Mejora, PG-TO247-4 de 4 pines

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Código RS:
762-946
Nº ref. fabric.:
IMYR140R008M2HXLSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

207A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1400V

Encapsulado

PG-TO247-4

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

203nC

Disipación de potencia máxima Pd

710W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.9mm

Longitud

23.8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MY
El MOSFET CoolSiC 1400 V G2 SiC de Infineon tiene una tensión nominal de 1400 V y una capacidad de corriente de 147 A a 100 °C, con una baja resistencia de conexión de 8,5 mΩ. Admite un alto rendimiento térmico y puede resistir cortocircuitos durante 2 μs. El dispositivo está diseñado con una robusta protección parásita contra encendido y una alta distancia de fuga.

Pérdidas por conmutación muy bajas

Diodo de cuerpo robusto para conmutación dura

Contactos de alimentación amplios para alta capacidad de corriente

Contactos soldadables resistivos para conexiones directas de barras colectoras

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