MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMZA40R015M2HXKSA1, VDSS 400 V, ID 99 A, Mejora, TO-247-4 de 4 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

12,66 €

(exc. IVA)

15,32 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 240 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 912,66 €
10 - 2411,40 €
25 +9,37 €

*precio indicativo

Código RS:
762-902
Nº ref. fabric.:
IMZA40R015M2HXKSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

99A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

400V

Encapsulado

TO-247-4

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

62nC

Disipación de potencia máxima Pd

273W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

4.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.1mm

Longitud

21.1mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET CoolSiC de Infineon es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona y dispone de tensión de umbral de puerta de referencia. Además, dispone de tecnología de interconexión XT para ofrecer el mejor rendimiento térmico de su clase.

100 % a prueba de avalancha

Tensión de control de puerta recomendada

Calificado para aplicaciones industriales

Se utiliza para almacenamiento de energía, SAI y formación de baterías

Enlaces relacionados