MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IPQC65R017CFD7XTMA1, VDSS 650 V, ID 30 A, Cinta y carrete de 4 pines

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Código RS:
762-939
Nº ref. fabric.:
IPQC65R017CFD7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

Cinta y carrete

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

694W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

236nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

2.35mm

Longitud

8.2mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El CoolMOS CFD7A de 650 V de Infineon es la última generación de MOSFET CoolMOS de alta tensión con certificación para automoción. La nueva serie CoolMOS CFD7A proporciona un diodo de cuerpo rápido integrado y se puede utilizar para tecnologías de conmutación PFC y resonante.

Tecnología certificada de automoción de 650 V más reciente

Alta calidad y fiabilidad

100 % a prueba de avalancha

Pérdidas de conmutación más bajas

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