MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, Cinta y carrete de 7 pines

Código RS:: 261-5041
Nº ref. fabric.:: SCT055HU65G3AG
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, Cinta y carrete de 7 pines

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Código RS:: 261-5041
Nº ref. fabric.:: SCT055HU65G3AG
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	Cinta y carrete
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	7
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	22 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	29nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	3.5mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	18.58mm
	Anchura	14 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado Cinta y carrete
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 7
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 3.5mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 18.58mm
	Anchura 14 mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - SCT055HU65G3AG

COO (País de Origen):: MA

MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción de 650 V, 58 mOhm típ., 30 A en un encapsulado HU3PAK

El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC avanzada e innovadora de 3a generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Certificación AEC-Q101

RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas

Rendimiento de conmutación de alta velocidad

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Contacto de detección de fuente para mayor eficiencia

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, Cinta y carrete de 7 pines

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MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción de 650 V, 58 mOhm típ., 30 A en un encapsulado HU3PAK

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