MOSFET STMicroelectronics SCT040HU65G3AG, VDSS 800 V, ID 10 A, Cinta y carrete

Código RS:: 261-5040
Nº ref. fabric.:: SCT040HU65G3AG
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics SCT040HU65G3AG, VDSS 800 V, ID 10 A, Cinta y carrete

223 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio Unidad

14,77 €

(exc. IVA)

17,87 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	14,77 €
10 - 99	14,02 €
100 - 249	13,33 €
250 - 499	12,66 €
500 +	12,03 €

Código RS:: 261-5040
Nº ref. fabric.:: SCT040HU65G3AG
Fabricante:: STMicroelectronics

Documentación Técnica

Datasheet - SCT040HU65G3AG

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: JP

Datos del Producto

El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando el avanzado e innovador 3er tecnología MOSFET SiC de generación. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con capacitancias bajas y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Certificación AEC-Q101
RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas
Rendimiento de conmutación de alta velocidad
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Pin de detección de fuente para mayor eficiencia

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	800 V
Tipo de Encapsulado	Cinta y carrete
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Modo de Canal	Mejora

MOSFET STMicroelectronics SCT040HU65G3AG, VDSS 800 V, ID 10 A, Cinta y carrete

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

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Especificaciones

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