MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 10 A, Mejora, Cinta y carrete de 7 pines

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Código RS:
261-5039
Nº ref. fabric.:
SCT040HU65G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

Cinta y carrete

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

18.58mm

Anchura

14 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

3.5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
JP
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando el avanzado e innovador 3er tecnología MOSFET SiC de generación. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con capacitancias bajas y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Certificación AEC-Q101

RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas

Rendimiento de conmutación de alta velocidad

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Contacto de detección de fuente para mayor eficiencia

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