MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 10 A, Mejora, Cinta y carrete

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Código RS:
261-5044
Nº ref. fabric.:
STD80N450K6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

Cinta y carrete

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

380mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17.3nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics está diseñado utilizando la tecnología MDmesh K5 basada en una innovadora estructura vertical patentada. El resultado es una reducción dramática de la resistencia de conexión y una carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Mejor RDS(on) x área del mundo

Mejor FOM (cifra de mérito) del mundo

Carga de puerta ultrabaja

Prueba de avalancha al 100 %

Protección Zener

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