MOSFET STMicroelectronics, VDSS 750 V, ID 15 A, Mejora, Carrete de 4 pines

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Código RS:
265-1034
Nº ref. fabric.:
SGT120R65AL
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

750V

Encapsulado

Carrete

Serie

G-HEMT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El transistor PowerGaN de modo electrónico de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia insuperable.

Modo de mejora normalmente apagado del transistor

Velocidad de conmutación muy alta

Alta capacidad de gestión de potencia

Capacitancias muy bajas

Almohadilla de fuente Kelvin para un control de puerta óptimo

Carga de recuperación inversa cero

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