MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMW40R011M2HXKSA1, VDSS 400 V, ID 104 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
762-965
Nº ref. fabric.:
IMW40R011M2HXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

104A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

400V

Encapsulado

TO-247

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

4.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

85nC

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

4.83mm

Longitud

20.8mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET CoolSiC de Infineon es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Utiliza la tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su clase y la tensión de accionamiento de puerta recomendada de 0 a 18 V.

Diodo de cuerpo rápido robusto de conmutación

100 % a prueba de avalancha

Calificado para aplicaciones industriales

tensión de funcionamiento de 400 V

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