MOSFET de automoción, Canal N-Canal Vishay SQJ112EP-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 95 A, MOSFET, PowerPAK SO-8L de 4 pines

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Código RS:
790-421
Nº ref. fabric.:
SQJ112EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de automoción

Corriente continua máxima de drenaje ld

95A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK SO-8L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0077Ω

Modo de canal

MOSFET

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

185W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
MOSFET de canal N de automoción de Vishay con valor nominal de 100 V, diseñado para un rendimiento de alta eficiencia en aplicaciones exigentes, lo que garantiza un funcionamiento fiable incluso en temperaturas extremas de hasta 175 °C.

La tecnología TrenchFET Gen IV optimiza las características de conmutación

Certificación AEC Q101 para fiabilidad de automoción

100 % probado R y UIS para mayor durabilidad

Corriente nominal de drenaje continuo de 95 A a 25 °C

Resistencia de encendido de solo 0,0077 Ω a 10 V

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