MOSFET, Canal N-Canal STMicroelectronics STB25N018M9, VDSS 250 V, ID 56 A, Modo de mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
830-840
Nº ref. fabric.:
STB25N018M9
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

56A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Encapsulado

TO-263

Serie

STB Series

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

18mΩ

Modo de canal

Modo de mejora

Disipación de potencia máxima Pd

320W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

85nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.3mm

Altura

4.5mm

Anchura

10mm

Certificaciones y estándares

ROHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics es un componente de superunión de canal N construido con tecnología Advanced MDmesh M9. Permite diseños más pequeños y compactos sin comprometer la capacidad térmica.

Tipo de encapsulado de montaje en superficie D2PAK

Proceso de fabricación de drenaje múltiple basado en silicio

Baja carga de puerta con una eficiencia excepcional

Capacidad dv/dt mejorada y probado para avalancha

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