MOSFET, Canal N-Canal STMicroelectronics STB25N018M9, VDSS 250 V, ID 56 A, Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 839-144
- Nº ref. fabric.:
- STB25N018M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 839-144
- Nº ref. fabric.:
- STB25N018M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | STB Series | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 85nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 320W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.3mm | |
| Altura | 4.5mm | |
| Anchura | 10mm | |
| Certificaciones y estándares | ROHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie STB Series | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 320W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.3mm | ||
Altura 4.5mm | ||
Anchura 10mm | ||
Certificaciones y estándares ROHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics es un componente de superunión de canal N construido con tecnología Advanced MDmesh M9. Permite diseños más pequeños y compactos sin comprometer la capacidad térmica.
Tipo de encapsulado de montaje en superficie D2PAK
Proceso de fabricación de drenaje múltiple basado en silicio
Baja carga de puerta con una eficiencia excepcional
Capacidad dv/dt mejorada y probado para avalancha
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