MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 35 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 168-7612
- Nº ref. fabric.:
- STB45N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
4.588,00 €
(exc. IVA)
5.551,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 29 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 4,588 € | 4.588,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 168-7612
- Nº ref. fabric.:
- STB45N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 710V | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 78mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 82nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 210W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 710V | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 78mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 82nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 210W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 710 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 710 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 710 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 710 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 710 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 710 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 710 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 710 V Mejora, TO-220 de 3 pines