MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 35 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 168-7618
- Nº ref. fabric.:
- STW45N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 168-7618
- Nº ref. fabric.:
- STW45N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 710V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 78mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 82nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 210W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Altura | 20.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 710V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 78mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 82nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 210W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.75mm | ||
Altura 20.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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