MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 69 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 920-8938
- Nº ref. fabric.:
- STW78N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 920-8938
- Nº ref. fabric.:
- STW78N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 69A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 710V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 32mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 203nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 450W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 20.15mm | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 69A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 710V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 32mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 203nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 450W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 20.15mm | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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