MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW88N65M5, VDSS 710 V, ID 84 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 783-3024
- Nº ref. fabric.:
- STW88N65M5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 783-3024
- Nº ref. fabric.:
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- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 84A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 710V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 29mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 450W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 204nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 84A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 710V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 29mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 450W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 204nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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