MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB38N65M5, VDSS 710 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
783-3059
Nº ref. fabric.:
STB38N65M5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

710V

Serie

MDmesh M5

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

95mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

71nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Tensión directa Vf

1.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.4mm

Anchura

9.35 mm

Altura

4.6mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics


El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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