MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHK031N60AE-T1GE3, VDSS 650 V, ID 63 A, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
851-497
Nº ref. fabric.:
SIHK031N60AE-T1GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

63A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.04Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.05mm

Altura

1.04mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101 Qualified

Anchura

5.25mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
KR
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento, lo que ofrece una gestión eficaz de cargas eléctricas con una eficiencia superior y bajas pérdidas de energía.

Utiliza la tecnología de la serie E de cuarta generación para mejorar el rendimiento

Ofrece una baja resistencia en estado activo, lo que reduce la disipación de energía

Capaz de manejar una alta capacitancia efectiva para un funcionamiento fiable

Proporciona una reducción significativa de las pérdidas de conmutación y conducción

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