MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHK031N60AE-T1GE3, VDSS 650 V, ID 63 A, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 851-497
- Nº ref. fabric.:
- SIHK031N60AE-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 851-497
- Nº ref. fabric.:
- SIHK031N60AE-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 63A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.04Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.04mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 Qualified | |
| Anchura | 5.25mm | |
| Longitud | 6.05mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 63A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.04Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.04mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 Qualified | ||
Anchura 5.25mm | ||
Longitud 6.05mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- KR
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento, lo que ofrece una gestión eficaz de cargas eléctricas con una eficiencia superior y bajas pérdidas de energía.
Utiliza la tecnología de la serie E de cuarta generación para mejorar el rendimiento
Ofrece una baja resistencia en estado activo, lo que reduce la disipación de energía
Capaz de manejar una alta capacitancia efectiva para un funcionamiento fiable
Proporciona una reducción significativa de las pérdidas de conmutación y conducción
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