MOSFET + Diodo Vishay SIHK075N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 33 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

Código RS:: 252-0266
Nº ref. fabric.:: SIHK075N60EF-T1GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET + Diodo Vishay SIHK075N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 33 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio Unidad

6,87 €

(exc. IVA)

8,31 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad
1 - 9	6,87 €
10 - 24	6,45 €
25 - 49	5,85 €
50 - 99	5,49 €
100 +	5,15 €

Código RS:: 252-0266
Nº ref. fabric.:: SIHK075N60EF-T1GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet - SIHK075N60EF-T1GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión.

Tecnología de la serie E de 4a generación
Bajo valor de mérito (FOM), Ron x Qg
Capacitancia efectiva baja (Co(er))
Reducción de pérdidas de conmutación y conducción
Clasificación de energía de avalancha (UIS)

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	33 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 10 x 12
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET + Diodo Vishay SIHK075N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 33 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Especificaciones

Enlaces relacionados