MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH125N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 23 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines

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Código RS:
200-6809
Nº ref. fabric.:
SIHH125N60EF-T1GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

23A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PowerPAK 8 x 8

Serie

EF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

125mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

8.1mm

Longitud

8.1mm

Estándar de automoción

No

El Vishay SIHH125N60EF-T1GE3 es un MOSFET de potencia de la serie EF con diodo de cuerpo rápido.

Tecnología de la serie E de 4th generación

Figura de mérito baja

Baja capacitancia efectiva

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

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