MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHK110N65SF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- Código RS:
- 735-228
- Nº ref. fabric.:
- SIHK110N65SF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 735-228
- Nº ref. fabric.:
- SIHK110N65SF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SF Series | |
| Tipo de montaje | Tarjeta | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.065Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 329W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 85nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SF Series | ||
Tipo de montaje Tarjeta | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.065Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 329W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
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