MOSFET, N-Canal Vishay SIHK045N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 47 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

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Código RS:
268-8304
Nº ref. fabric.:
SIHK045N60EF-T1GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

47A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

SIHK

Encapsulado

PowerPAK 10 x 12

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.052Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

105nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

9.9mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia Vishay con diodo de cuerpo rápido y tecnología de la serie E de 4a generación reduce las pérdidas de conmutación y conducción y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y soportes de alimentación de corrección de factor de potencia

Baja capacitancia efectiva

Energía nominal de avalancha

Baja cifra de mérito

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