MOSFET, N-Canal Vishay SIHH186N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 4 pines
- Código RS:
- 200-6812
- Nº ref. fabric.:
- SIHH186N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 200-6812
- Nº ref. fabric.:
- SIHH186N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PowerPAK 8 x 8 | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 193mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 114W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.05mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PowerPAK 8 x 8 | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 193mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 114W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.05mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 8.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay SIHH186N60EF-T1GE3 es un MOSFET de potencia de la serie EF con diodo de cuerpo rápido.
Tecnología de la serie E de 4th generación
Figura de mérito baja
Baja capacitancia efectiva
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)
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