MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHH070N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 36 A, Mejora, PowerPAK 8 x 8 de 5 pines

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Código RS:
200-6830
Nº ref. fabric.:
SIHH070N60EF-T1GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

36A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

EF

Encapsulado

PowerPAK 8 x 8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

71mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

75nC

Disipación de potencia máxima Pd

202W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

8.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

8.1mm

Estándar de automoción

No

El Vishay SIHH070N60EF-T1GE3 es un MOSFET de potencia de la serie EF con diodo de cuerpo rápido.

Tecnología de la serie E de 4th generación

Figura de mérito baja

Baja capacitancia efectiva

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

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