MOSFET Vishay SIHH070N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 23 A, 36 A., POWERPAK 8 x 8 de 4 pines

Código RS:: 200-6830
Nº ref. fabric.:: SIHH070N60EF-T1GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIHH070N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 23 A, 36 A., POWERPAK 8 x 8 de 4 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

3,979 €

(exc. IVA)

4,815 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	3,979 €	11.937,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 200-6830
Nº ref. fabric.:: SIHH070N60EF-T1GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Document- SIHH070N60EF-T1GE3

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El Vishay SIHH070N60EF-T1GE3 es un MOSFET de potencia de la serie EF con diodo de cuerpo rápido.

Tecnología de la serie E de 4th generación
Figura de mérito baja
Baja capacitancia efectiva
Menores pérdidas por conmutación y conducción
Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	23 A, 36 A.
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Serie	EF
Tipo de Encapsulado	POWERPAK 8 x 8
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,071 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Vishay SIHH070N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 23 A, 36 A., POWERPAK 8 x 8 de 4 pines

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