- Código RS:
- 268-8313
- Nº ref. fabric.:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
4,885 €
(exc. IVA)
5,911 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
2 - 48 | 4,885 € | 9,77 € |
50 - 98 | 4,39 € | 8,78 € |
100 - 248 | 3,595 € | 7,19 € |
250 + | 3,53 € | 7,06 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 268-8313
- Nº ref. fabric.:
- SIHK125N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
El MOSFET de potencia Vishay con diodo de cuerpo rápido y tecnología de la serie E de 4a generación reduce las pérdidas de conmutación y conducción y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y soportes de alimentación de corrección de factor de potencia
Baja capacitancia efectiva
Energía nominal de avalancha
Baja cifra de mérito
Energía nominal de avalancha
Baja cifra de mérito
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 21 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
Tipo de Encapsulado | PowerPAK 10 x 12 |
Tipo de Montaje | Montaje en PCB |
Conteo de Pines | 8 |
Modo de Canal | Mejora |
Material del transistor | Silicio |
Número de Elementos por Chip | 2 |
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