MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK185N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

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Código RS:
268-8314
Nº ref. fabric.:
SIHK185N60EF-T1GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PowerPAK 10 x 12

Serie

SIHK

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.193Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

114W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

9.9mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de la serie EF de Vishay con diodo de cuerpo rápido tiene pérdidas de conmutación y conducción reducidas y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y fuentes de alimentación de corrección de factor de potencia.

Baja capacitancia efectiva

Energía nominal de avalancha

Baja cifra de mérito

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