MOSFET, N-Canal Vishay SIHK185N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- Código RS:
- 268-8316
- Nº ref. fabric.:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 268-8316
- Nº ref. fabric.:
- SIHK185N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | SIHK | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.193Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 114W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 9.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie SIHK | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.193Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 114W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 9.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET serie SIHK de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 16 A - SIHK185N60EF-T1GE3
Este MOSFET es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para conmutación de potencia en montajes de PCB. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para entornos de control industrial y conversión de potencia donde se requiere un manejo de tensión y una tolerancia térmica robustos.
Características y ventajas:
• La tensión de drenaje de 650 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 16 A admite corrientes de carga sustanciales • La baja Rds(on) de 0,193 Ω reduce las pérdidas por conducción y la generación de calor • La disipación de potencia de 114 W permite un manejo de potencia sostenido • La carga de puerta típica de 32 nC admite velocidades de conmutación moderadamente rápidas • La unidad de puerta máxima de 30 V permite diseños de control de puerta flexibles
Aplicaciones
• Apto para convertidores e inversores de potencia de alta tensión • Ideal para fuentes de alimentación de modo conmutado en sistemas industriales • Se utiliza para conmutar accionamientos de motores en equipos de automatización • Se puede utilizar para control de balasto de iluminación y transformador electrónico
¿Qué extremos térmicos puede tolerar en el diseño del sistema?
Está especificado para funcionar hasta -55 °C y hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos con amplia variación de temperatura ambiente.
¿Qué consideraciones de montaje son necesarias en una PCB?
Está diseñado para el montaje en PCB en un encapsulado PowerPAK 10 x 12 con ocho contactos, por lo que el diseño de la PCB debe proporcionar vias térmicas adecuadas y un área de cobre para la propagación del calor.
¿Cómo debe limitarse la unidad de puerta para proteger el dispositivo?
La puerta no debe superar ±30 V con respecto a la fuente, por lo que los circuitos de accionamiento de puerta deben incluir abrazadera o regulación para evitar sobretensión.
¿Qué característica de carga afecta a la selección del controlador de puerta?
La carga de puerta típica es de 32 nC en el polarización de puerta especificada, lo que informa la corriente de accionamiento y las pérdidas de conmutación necesarias para el tamaño del controlador de puerta.
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