MOSFET Vishay SIHK125N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 21 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines, 2elementos

Código RS:: 268-8312
Nº ref. fabric.:: SIHK125N60EF-T1GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIHK125N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 21 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines, 2elementos

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2000)

2,414 €

(exc. IVA)

2,921 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
2000 +	2,414 €	4.828,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 268-8312
Nº ref. fabric.:: SIHK125N60EF-T1GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Datasheet - SIHK125N60EF-T1GE3

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

El MOSFET de potencia Vishay con diodo de cuerpo rápido y tecnología de la serie E de 4a generación reduce las pérdidas de conmutación y conducción y se utiliza en aplicaciones como fuentes de alimentación de modo conmutado, fuentes de alimentación de servidor y soportes de alimentación de corrección de factor de potencia

Baja capacitancia efectiva
Energía nominal de avalancha
Baja cifra de mérito

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	PowerPAK 10 x 12
Tipo de Montaje	Montaje en PCB
Conteo de Pines	8
Modo de Canal	Mejora
Material del transistor	Silicio
Número de Elementos por Chip	2

MOSFET Vishay SIHK125N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 21 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines, 2elementos

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