MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK085N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

Código RS:: 268-8306
Nº ref. fabric.:: SIHK085N60EF-T1GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHK085N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines

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Código RS:: 268-8306
Nº ref. fabric.:: SIHK085N60EF-T1GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Serie	SIHK
	Encapsulado	PowerPAK 10 x 12
	Tipo de montaje	Montaje en PCB
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.085Ω
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	63nC
	Disipación de potencia máxima Pd	184W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Longitud	9.9mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Serie SIHK
	Encapsulado PowerPAK 10 x 12
	Tipo de montaje Montaje en PCB
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.085Ω
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC
	Disipación de potencia máxima Pd 184W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Longitud 9.9mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - SIHK085N60EF-T1GE3

COO (País de Origen):: CN

MOSFET serie SIHK de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 30 A - SIHK085N60EF-T1GE3

Este MOSFET es un dispositivo de conmutación de canal N de alta tensión diseñado para la conversión y el control de potencia en electrónica industrial. Funciona como un transistor de modo de mejora adecuado para montaje en PCB y está diseñado para aplicaciones exigentes que requieren una tolerancia térmica robusta y un manejo de corriente sustancial.

Características y ventajas:

• La clasificación de 650 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión • La corriente de drenaje continua de 30 A admite cargas pesadas • La Rds(on) de 0,085 Ω reduce las pérdidas de conducción en la conmutación • La carga de puerta típica de 63 nC permite un diseño de accionamiento de puerta predecible • La disipación de potencia de 184 W permite un rendimiento térmico significativo • La temperatura de unión máxima de 150 °C admite un funcionamiento a alta temperatura

Aplicaciones

• Apto para convertidores dc-dc de alta tensión en sistemas de automatización • Ideal para frontales de accionamiento de motor que requieren una alta capacidad de corriente • Se utiliza para fuentes de alimentación de modo conmutado en electrónica industrial • Se puede utilizar para etapas de inversor en equipos de control de potencia

¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben tenerse en cuenta para su uso?

El dispositivo tolera tensiones de puerta de hasta 30 V y presenta una carga de puerta total típica de 63 nC, por lo que los controladores deben suministrar carga y control de bajada suficientes dentro de ese límite de tensión.

¿Cómo debe organizarse la gestión térmica en la PCB?

Con una disipación máxima de 184 W y alta capacidad de unión, proporciona un área de cobre sustancial, vías térmicas y un patrón de fijación de disipador térmico adecuado para mantener temperaturas de funcionamiento seguras.

¿Qué rango de temperatura ambiental tolerará durante el funcionamiento?

Funciona hasta -55 °C y hasta un máximo de 150 °C, lo que permite su despliegue en amplios escenarios ambientales y de unión elevada.

¿Qué enfoque de montaje es necesario para un montaje fiable?

La pieza está diseñada para montaje en PCB en un encapsulado PowerPAK 10 x 12 con una interfaz de 8 contactos, por lo que se deben utilizar procesos de soldadura estándar para encapsulados de alimentación.