MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHK075N60EF-T1GE3, VDSS 650 V, ID 33 A, Reducción, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines
- Código RS:
- 252-0265
- Nº ref. fabric.:
- SIHK075N60EF-T1GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PowerPAK 10 x 12 | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.061Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 72nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 192W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Anchura | 5.15mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PowerPAK 10 x 12 | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.061Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 72nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 192W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Anchura 5.15mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6.15mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, disipación de potencia de 192 W - SIHK075N60EF-T1GE3
Este MOSFET de potencia es un semiconductor de canal N de alta tensión diseñado para entornos exigentes de conmutación y control de potencia. Funciona en un amplio rango de temperaturas y se suministra en un encapsulado de montaje en superficie de perfil bajo adecuado para montajes compactos. El dispositivo está diseñado para aplicaciones que requieren un manejo de corriente continuo sustancial y una capacidad de tensión robusta en espacios reducidos.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 650 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 33 A admite un funcionamiento de carga pesada
• La Rds(on) de 0.061 Ω reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación máxima de 192 W permite un manejo de alta potencia
• La carga de puerta típica de 72 nC proporciona un comportamiento de conmutación predecible
• La certificación AEC-Q101 admite tensión térmica de grado automovilístico
• La corriente de drenaje continua de 33 A admite un funcionamiento de carga pesada
• La Rds(on) de 0.061 Ω reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación máxima de 192 W permite un manejo de alta potencia
• La carga de puerta típica de 72 nC proporciona un comportamiento de conmutación predecible
• La certificación AEC-Q101 admite tensión térmica de grado automovilístico
Aplicaciones
• Adecuado para electrónica de potencia de vehículos de tracción y alta tensión
• Ideal para topologías de conmutación de medio puente y puente completo
• Se utiliza con controladores de puerta aislados en inversores industriales
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de modo conmutado de hasta alta tensión
• Adecuado para etapas de accionamiento de motores en sistemas de automoción
• Ideal para topologías de conmutación de medio puente y puente completo
• Se utiliza con controladores de puerta aislados en inversores industriales
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de modo conmutado de hasta alta tensión
• Adecuado para etapas de accionamiento de motores en sistemas de automoción
¿Qué rango térmico puede soportar en entornos hostiles?
Está diseñado para funcionar de -55 °C a +150 °C, lo que permite su uso en arranques a baja temperatura y condiciones de funcionamiento elevadas.
¿Qué formato de encapsulado utiliza para el montaje de PCB?
El dispositivo se suministra en una carcasa de montaje en superficie PowerPAK 10x12 diseñada para una transferencia de calor eficiente y una colocación de placa compacta.
¿Cómo afecta el límite de tensión de puerta al diseño del accionamiento?
La tensión máxima de fuente de puerta es de 20 V, por lo que los controladores de puerta deben especificarse para permanecer dentro de este límite para evitar sobretensión de puerta.
¿Es adecuado para montajes con restricciones RoHS?
El componente cumple los requisitos de la directiva RoHS, lo que permite su inclusión en conjuntos que imponen la adhesión a sustancias restringidas.
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