MOSFET sencillos, N-Canal Microchip APT100N60BC7, VDSS 600 V, ID 120 A, Modo de mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 862-370
- Nº ref. fabric.:
- APT100N60BC7
- Fabricante:
- Microchip
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 unidad)*
31,56 €
(exc. IVA)
38,19 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 05 de abril de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 31,56 € |
| 10 - 24 | 30,77 € |
| 25 + | 29,99 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 862-370
- Nº ref. fabric.:
- APT100N60BC7
- Fabricante:
- Microchip
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | APT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 226nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 416W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 20.15mm | |
| Altura | 40.5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 3-Compliant | |
| Anchura | 15.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie APT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 226nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 416W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 20.15mm | ||
Altura 40.5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS 3-Compliant | ||
Anchura 15.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superconexión de Microchip ofrece una gestión de potencia eficiente para aplicaciones de alta tensión. Proporciona un funcionamiento fiable y robusto en entornos exigentes, lo que garantiza un rendimiento óptimo en sistemas eléctricos.
La menor resistencia de encendido minimiza las pérdidas por conducción
La recuperación inversa ultrarrápida reduce las pérdidas de conmutación
La baja carga de puerta garantiza un funcionamiento fiable a altas frecuencias
Valor nominal de avalancha para una robustez de conmutación dura superior
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 600 V Modo de mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS -40 V Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS -60 V Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 200 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS -60 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 80 V Modo de mejora, PowerPAK (8x8LR) de 8