MOSFET de potencia STMicroelectronics, N-Canal STL180N8F8, VDSS 80 V, ID 181 A, PowerFLAT, N de 8 pines, config. Modo de
- Código RS:
- 898-600
- Nº ref. fabric.:
- STL180N8F8
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 181A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | STL | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.3mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 85nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Configuración de transistor | Modo de mejora | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5.8mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | ECOPACK2 | |
| Anchura | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 181A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie STL | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.3mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Configuración de transistor Modo de mejora | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5.8mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares ECOPACK2 | ||
Anchura 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de STMicroelectronics está diseñado en tecnología STripFET F8 con una estructura de puerta de trinchera mejorada. Garantiza una cifra de mérito de última generación para una resistencia en estado activo muy baja al tiempo que reduce las capacitancias internas y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Grado MSL1
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja
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