MOSFET, Canal N-Canal STMicroelectronics STL190N8F8, VDSS 80 V, ID 220 A, Modo de mejora, PowerFLAT de 8 pines

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Código RS:
834-676
Nº ref. fabric.:
STL190N8F8
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

220A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PowerFLAT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.6mΩ

Modo de canal

Modo de mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

ROHS

Anchura

5mm

Altura

1mm

Longitud

6mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
SG
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics está diseñado para ofrecer un rendimiento eficiente en diversas aplicaciones de potencia. Dispone de especificaciones robustas adecuadas para altas demandas de corriente en encapsulado compacto.

La tensión de drenaje-fuente máx. de 80 V garantiza la fiabilidad operativa

La baja resistencia de encendido de 4,5 mΩ favorece la eficiencia energética

La alta corriente nominal de drenaje continuo de hasta 126 A admite diseños exigentes

Optimizado para una temperatura de unión máxima de 175 °C para mayor durabilidad

El diseño probado por avalancha garantiza la robustez en condiciones de fallo

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