MOSFET, N-Canal Vishay SI3462DV-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 8 A, Mejora, TSOP-6 de 6 pines

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Código RS:
904-971
Nº ref. fabric.:
SI3462DV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TSOP-6

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.023Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

4.2W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

ROHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece un rendimiento excepcional para aplicaciones de conmutación, proporcionando un control fiable en circuitos electrónicos exigentes y garantizando un funcionamiento eficiente en diversos entornos.

La estructura de canal N admite una conmutación eficaz con una resistencia de estado activo mínima

La tensión nominal máxima de drenaje a fuente de 60 V mejora la versatilidad en la aplicación

La baja tensión de umbral de puerta-fuente garantiza la compatibilidad con una amplia gama de circuitos de accionamiento

Optimizado para el rendimiento térmico con una baja resistencia térmica, lo que mejora la eficiencia

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