MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SI3410BDV-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, Modo de mejora, TSOP-6 de 6 pines

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Código RS:
829-360
Nº ref. fabric.:
SI3410BDV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TSOP-6

Serie

SI

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0192Ω

Modo de canal

Modo de mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Disipación de potencia máxima Pd

3.3W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.70mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

3mm

Altura

1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
DE
El MOSFET de canal N de alto rendimiento de Vishay está diseñado para una gestión de carga eficiente en circuitos electrónicos. Funciona a una tensión máxima de drenaje-fuente de 30 V, lo que optimiza el uso de potencia en diversas aplicaciones.

Proporciona una corriente de drenaje continua máxima de 6 A, lo que garantiza la fiabilidad bajo carga

Dispone de una baja resistencia en estado activo de 0,0192 ohmios a 10 V, lo que ayuda a la eficiencia energética

Fabricado con un encapsulado TSOP-6 compacto, lo que facilita la integración en diseños con limitaciones de espacio

Incorpora tecnología TrenchFET avanzada para mejorar el rendimiento de conmutación

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