MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SISS110DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 14.2 A, Modo de mejora, P de 8 pines
- Código RS:
- 829-345
- Nº ref. fabric.:
- SISS110DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | P | |
| Serie | SISS | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.054Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 24W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.30mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Longitud | 3.30mm | |
| Altura | 1.04mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado P | ||
Serie SISS | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.054Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 24W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.30mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Longitud 3.30mm | ||
Altura 1.04mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- IL
El MOSFET de canal N de Vishay proporciona soluciones de gestión de potencia eficientes con excelentes capacidades de conducción. Diseñado para aplicaciones exigentes, ofrece un rendimiento térmico y de conmutación superior.
Dispone de tecnología TrenchFET Gen IV para una eficiencia y un rendimiento superiores
Probado al 100 % RDS(on) y UIS para mayor fiabilidad en funcionamiento
La corriente de drenaje nominal continua de 11 A garantiza un suministro robusto
Optimizado para valores de RDS(on) bajos, lo que mejora el rendimiento térmico
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