MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SI3552BDV-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 2.5 A, Modo de mejora, TSOP-6 de 6 pines
- Código RS:
- 847-934
- Nº ref. fabric.:
- SI3552BDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 847-934
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- SI3552BDV-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | TSOP-6 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.200Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.15W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.60mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS3 Compliant | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 2.90mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado TSOP-6 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.200Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.15W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.60mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS3 Compliant | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 2.90mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- DE
El MOSFET de potencia de Vishay combina funcionalidades de canal N y P para un rendimiento eficiente en diversas aplicaciones. Este dispositivo maximiza la eficiencia energética al tiempo que mantiene la fiabilidad en espacios compactos.
La tecnología TrenchFET garantiza una baja resistencia de encendido para una mejor eficiencia
Ofrece una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V para el canal N y de -30 V para el canal P
Corriente de drenaje continua nominal de hasta 3,7 A para un funcionamiento fiable
Los conductores no contienen halógenos, lo que favorece la sostenibilidad ambiental
Dispone de un encapsulado TSOP-6 compacto para diseños que ahorran espacio
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