MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SI7804BDN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, Modo de mejora, TSOP-6 de 8 pines
- Código RS:
- 829-361
- Nº ref. fabric.:
- SI7804BDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 829-361
- Nº ref. fabric.:
- SI7804BDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | SI | |
| Encapsulado | TSOP-6 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0192Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 19.9W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.07mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie SI | ||
Encapsulado TSOP-6 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0192Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 19.9W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.07mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 3.3mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- DE
El MOSFET de canal N de alto rendimiento de Vishay está diseñado para aplicaciones de conversión dc/dc eficiente y alimentación de sistemas, lo que garantiza un funcionamiento fiable dentro de los límites de tensión especificados.
La tecnología TrenchFET Gen III mejora la eficiencia y el rendimiento
La prueba 100 % R garantizada garantiza una alta fiabilidad
Material clasificado para el cumplimiento de las normativas ambientales
La corriente de drenaje continua máxima de 6 A aumenta la versatilidad
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