MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW60R165CPFKSA1, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
110-7743
Nº ref. fabric.:
IPW60R165CPFKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

CoolMOS CP

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

160mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

192W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

21.1mm

Longitud

16.13mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.21 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™CP


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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