MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW60R165CPFKSA1, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 110-7743
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R165CPFKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 4 - 4 | 4,728 € | 18,91 € |
| 8 - 16 | 4,49 € | 17,96 € |
| 20 - 36 | 4,303 € | 17,21 € |
| 40 - 96 | 4,113 € | 16,45 € |
| 100 + | 3,83 € | 15,32 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 110-7743
- Nº ref. fabric.:
- IPW60R165CPFKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS CP | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 160mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 192W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.21 mm | |
| Altura | 21.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS CP | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 192W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.21 mm | ||
Altura 21.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 16.13mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™CP
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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