MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPW65R115CFD7AXKSA1, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, PG-TO-247 de 3 pines

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Código RS:
273-3027
Nº ref. fabric.:
IPW65R115CFD7AXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

PG-TO-247

Serie

IPW

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

115mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

114W

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

AECQ101, RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia SJ de automoción de Infineon está en el encapsulado TO-247 y forma parte de la familia de productos CFD7A de MOSFET de potencia SJ de 650 V frío con certificación de automoción.

Permite diseños de mayor densidad de potencia

Escalable según se ha diseñado para su uso en la etapa PFC y dc-dc

Cartera granular disponible

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