MOSFET Infineon IPB180P04P4L02ATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

Documentación Técnica (2)

Producto Descatalogado

Estado RoHS: No aplica

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Serie	OptiMOS P
Tipo de Encapsulado	D2PAK-7
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	3,9 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	150 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	220 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	9.25mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	10mm
Material del transistor	Si
Altura	4.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.3V