MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB180P04P4L02ATMA2, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

16,86 €

(exc. IVA)

20,40 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 945 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 203,372 €16,86 €
25 - 453,036 €15,18 €
50 - 1202,832 €14,16 €
125 - 2452,63 €13,15 €
250 +2,462 €12,31 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
229-1821
Nº ref. fabric.:
IPB180P04P4L02ATMA2
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de nivel lógico de canal P de Infineon tiene la capacidad de corriente más alta y se ha probado un 100 % de avalancha. Tiene las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica y protección de batería inversa.

Cumple con RoHS y cuenta con certificación AEC

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Es un encapsulado robusto

Enlaces relacionados