MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB180P04P4L02ATMA2, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 229-1821
- Nº ref. fabric.:
- IPB180P04P4L02ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,72 € | 23,60 € |
| 25 - 45 | 4,252 € | 21,26 € |
| 50 + | 3,964 € | 19,82 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 229-1821
- Nº ref. fabric.:
- IPB180P04P4L02ATMA2
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie iPB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de nivel lógico de canal P de Infineon tiene la capacidad de corriente más alta y se ha probado un 100 % de avalancha. Tiene las pérdidas de potencia de conducción y conmutación más bajas para la máxima eficiencia térmica y protección de batería inversa.
Cumple con RoHS y cuenta con certificación AEC
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Es un encapsulado robusto