MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW28N60DM2, VDSS 650 V, ID 22 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

8,62 €

(exc. IVA)

10,44 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 03 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 84,31 €8,62 €
10 - 184,10 €8,20 €
20 - 483,685 €7,37 €
50 - 983,32 €6,64 €
100 +3,145 €6,29 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
111-6480
Nº ref. fabric.:
STW28N60DM2
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Serie

MDmesh DM2

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

160mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Tensión directa Vf

1.6V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.75mm

Altura

20.15mm

Anchura

5.15 mm

Estándar de automoción

No

MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics


Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.

Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema

Certificación AEC-Q101

Transistores MOSFET, STMicroelectronics


Enlaces relacionados

Recently viewed