MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW56N60DM2, VDSS 600 V, ID 50 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 111-6485
- Nº ref. fabric.:
- STW56N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 7,21 € |
| 5 - 9 | 6,84 € |
| 10 - 24 | 6,17 € |
| 25 - 49 | 5,56 € |
| 50 + | 5,27 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 111-6485
- Nº ref. fabric.:
- STW56N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -5.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 90nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 360W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.15mm | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -5.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 90nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 360W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.15mm | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
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