MOSFET STMicroelectronics STW56N60DM2, VDSS 600 V, ID 50 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 111-6485
- Nº ref. fabric.:
- STW56N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 30/04/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio Unidad
10,80 €
(exc. IVA)
13,07 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad |
| 1 - 4 | 10,80 € |
| 5 - 9 | 10,25 € |
| 10 - 24 | 9,23 € |
| 25 - 49 | 8,32 € |
| 50 + | 7,89 € |
- Código RS:
- 111-6485
- Nº ref. fabric.:
- STW56N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
Certificación AEC-Q101
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 50 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 |
| Serie | MDmesh DM2 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 60 mΩ |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3V |
| Disipación de Potencia Máxima | 360 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -25 V, +25 V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Material del transistor | Si |
| Ancho | 5.15mm |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 90 nC a 10 V |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Longitud | 15.75mm |
| Altura | 20.15mm |
| Tensión de diodo directa | 1.6V |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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