MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal DMG6602SVT-7, VDSS 30 V, ID 3.4 A, TSOT, Mejora de 6 pines, 2,
- Código RS:
- 121-9598
- Nº ref. fabric.:
- DMG6602SVT-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
807,00 €
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,269 € | 807,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 121-9598
- Nº ref. fabric.:
- DMG6602SVT-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSOT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 140mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Tensión directa Vf | 800mV | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.27W | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Anchura | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 900μm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSOT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 140mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Tensión directa Vf 800mV | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.27W | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Anchura 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 900μm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
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