MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 3.4 A, TSOT, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
121-9598
Nº ref. fabric.:
DMG6602SVT-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N, Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

TSOT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

140mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.27W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4nC

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Aislado

Altura

0.9mm

Anchura

1.6 mm

Certificaciones y estándares

J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101

Longitud

2.9mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.


Transistores MOSFET, Diodes Inc.


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