MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N, Tipo P-Canal DMG6601LVT-7, VDSS 30 V, ID 4.5 A, TSOT, Mejora de 6 pines, 2,
- Código RS:
- 122-3246
- Nº ref. fabric.:
- DMG6601LVT-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 122-3246
- Nº ref. fabric.:
- DMG6601LVT-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSOT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -12V, +12V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Tensión directa Vf | 750mV | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.3W | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Anchura | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| Altura | 900μm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSOT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -12V, +12V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Tensión directa Vf 750mV | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.3W | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Longitud 2.9mm | ||
Anchura 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
Altura 900μm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N/P doble, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
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